Ученые нашли способ использования черного фосфора в CMOS-технологиях

26-08-2015, 10:06 Исследователи из Центра фундаментальных наук и физики интегрированных наноструктур (Institute for Basic Science Center for Integrated Nanostructure Physics) университета Сонгюнгван (Sungkyunkwan University, SKKU), Сеул, Южная Корея, обнаружили способ управления свойствами черного фосфора так, что этом материал начинает вести себя как полупроводник n-типа (с электронной проводимостью), p-типа (с "дырочной" проводимостью) и амбиполярного, n-типа и p-типа одновременно. Это возможно при изменении толщины этого материала, что влияет на ширину его запрещенной зоны, кроме этого, подобного эффекта можно добиться путем введения примесей различных металлов. Используя свое открытие, корейские исследователи смогли создать из черного фосфора транзистор, способный работать при более низких напряжениях, нежели транзисторы, изготовленные из традиционного кремния.